生长方式：直拉单晶（CZ）热氧化工艺

直径与工差：25.4±0.4mm

掺杂类型：N型（掺磷 ， 砷 ， 锑） P型（掺硼）

晶向：<111><100>

电阻率： 0.001-50(Ω•cm) 可按客户要求定制

工艺数据：平整度TIR:<3μm 、 翘曲度TTV: <10μm 、

                弯曲度BOW< 10μm 、粗糙度<0.5nm、颗                     粒度< 10 (for size >0.3μm)

用途介绍：用于工艺等同步辐射样品载体、PVD/CVD镀膜                做衬底、磁控溅射生长样品、XRD、                            SEM、原子力、红外光谱、荧光光谱等分析测                试 基底、分子束外延生长的基底、X射线分                     析晶体半导体

到目前为止，我们有多家公司，多所高校、科研所的长期客户。包括：TCL集团股份有限公司，京东方科技集团股份有限公司，深圳市华星光电技术有限公司，武汉华星光电半导体显示技术有限公司，应用材料（中国）有限公司，鹏翔飞控作动系统（西安）有限责任公司，广东美的制冷设备有限公司，马鞍山太时芯科技有限公司，山东科芯电子有限公司，湖南湘标新材料科技有限公司，北京嘉仕涛科技有限公司，苏州甫一电子科技有限公司，营口尚能光电材料有限公司，上海东贝真空设备有限公司，北京世纪金光半导体有限公司，杭州纤纳光电科技有限公司，苏州爱彼光电材料有限公司，江西冠能光电材料有限公司，福建中科芯光电科技有限公司，苏州原位芯片科技有限公司，洛阳市鼎晶电子材料有限公司，深圳市化试科技有限公司，清华大学，上海交通大学，哈尔滨工业大学，西安交通大学，中山大学，华中科技大学，厦门大学，北京航空航天大学，吉林大学，北京工业大学，苏州大学，上海科技大学，黑龙江大学，中北大学等众多的公司、高校和科研所。