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6英寸单面抛光硅片高纯度单晶硅镀膜电镜科研衬底

单抛硅片

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产品名称：6英寸单抛硅片生长方式：直拉单晶直径与工差：±0.4mm掺杂类型：N型（掺磷，砷，锑） P型（掺硼）晶向：<111>/<100>电阻率： 0.001-50(Ω•cm) 可按客户要求定制工艺数据：平整度TIR:<3μm 、翘曲度TTV: <10μm 、弯曲度BOW< 10μm 、粗糙度<0.5nm、颗粒度< 10 (for size > 0.3μm)用途介绍：用于工艺等同步辐射样品载体、PVD/CVD镀膜做衬底、磁控溅射生长样品、XRD、SEM、原子力、红外光谱、荧光光谱等分析测试基底、分子束外延生长的基底、X射线分析晶体半导体。 <img src="http://pro1b369f.pic48.websiteonline.cn/upload/20200218_162205_063.jpg" width="750" height="750"/>
实验科研专用高纯度单晶SEM光学生物载体方片

单抛硅片

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高纯单晶抛光硅片，已激光划片，方便大小使用，小硅片尺寸是3、5、10、15、20、25、30、40、50mm的方片，硅片厚度550um-725um，有少量库存，其他尺寸的需要定制，请联系店家。可用于同步辐射样品载体、PVD/CVD镀膜衬底、磁控溅射生长样品、XRD、SEM等领域。生长方法     直拉单晶                抛光           单抛（抛光面有蓝膜保护） 晶体取向     <100> 电阻率        1~30工艺参数     平整度TIR<3μm、挠曲度TTV<10μm、弯曲度BOW<10μm、粗糙度<0.5nm、颗粒度<10（for size>0.3μm） 加工定制    客户如果需要不同参数的硅片，请联系客服  支付方式    公对公转账、院校合作、支付宝、货到付款、银行汇款 <img src="http://pro1b369f.pic48.websiteonline.cn/upload/20200218_162052_062.png" width="750" height="750"/>

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